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CVD/PECVD气相沉积炉

CVD/PECVD气相沉积炉

博纳热CVD/PECVD气相沉积炉,采用等离子体化学气相沉积技术,具备卓越性能,可高质量沉积金属、半导体、绝缘体等材料的薄膜,广泛应用于微电子、光电等领域。

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产品详情

CVD/PECVD气相沉积炉简介

CVD/PECVD气相沉积炉,采用等离子体化学气相沉积技术,为各种金属、半导体、绝缘体等材料提供卓越的薄膜沉积解决方案,广泛的应用领域涵盖微电子、光电、平板显示、储能等多个行业。

CVD/PECVD气相沉积炉特点

高温极限:达到1200℃(通过HRE电阻丝加热),满足高温沉积需求。

智能控制:配备50段可编程自动控制系统,实现精准控制。

安全防护:具备超温保护和漏电自动断电功能,确保操作安全。

cvd气相沉积

气相沉积cvd

高效散热:双层风冷结构和50℃以下表面温度,保障设备稳定运行。

卓越保温:炉膛采用日本技术真空吸附成型的氧化铝多晶纤维,保温效果出众。

高品质密封:采用304不锈钢KF快卸密封法兰,确保工艺过程的密封性。

快速升温:升温速率不超过20℃/分,提高生产效率。

精准控温:控温精度达到±1℃,确保薄膜质量。

高沉积速率:射频辉光技术使沉积速率高达10Å/S,大幅提升生产效率。

pecvd气相沉积炉

气相沉积pecvd

大面积均匀性:通过多点射频馈入技术和特殊气路分布,实现薄膜均匀性8%的优异指标。

高一致性:遵循半导体行业设计理念,基片间偏差低于2%,确保产品质量一致性。

工艺稳定:设备高度稳定,保证工艺的连续性和稳定性。

高效真空系统:标配直连式真空泵,极限真空度可达10Pa,确保高质量沉积环境。

精准流量控制:标配三路质量流量计,实现气体流量的精确控制。

强大射频电源:等离子射频电源功率高达500W,输出频率稳定在13.56MHz±0.005%,适应不同工艺需求。

pecvd

pecvd气相沉积炉(上海seo)

可选配件

高端真空系统:根据客户需求,提供最高真空度可达7x10-4Pa的分子泵真空系统。

混气系统:提供混气系统及质量流量计,满足复杂气体混合和流量控制需求。

高清触控屏:可选高清触控屏,实现更直观、便捷的操作体验。

技术参数

产品名称CVD化学气相沉积系统
产品型号BR-CVD/PECVD
滑道带滑道,可滑动炉膛,实现快速升温或冷却功能
加热区长度400mm  单温区/双温区
炉管尺寸直径60x1200mm 外径x长
炉管材质高纯石英管
工作温度≤1100℃
温控系统人工智能PID仪表,自动控制温度
温控精度±1℃ (具有超温及断偶报警功能)
加热速率建议 0~10℃/min
加热元件高品质电阻丝
真空系统
额定电压单相 220V 50Hz
可通气体氮气、氩气等惰性气体
测温元件热电偶测温
壳体结构双层壳体结构带风冷系统
真空法兰带有进气口,另一端带控压阀,气动泄压阀和放气阀。
供气系统四路精密质子流量计,通过触屏来调节气体流量
真空系统旋片泵,真空度在空炉冷态可达1pa, 真空计:进口数显真空计实时显示真空度,精度高。
气体定量系统整体可以控制压力范围-20kpa到20kpa(相对压力)
额定电压单相 220V 50Hz
射频电源(仅PECVD)
信号频率13.56 MHz±0.005%
功率输出范围500W
最大反射功率500W
射频输出接口50Ω,N-type,female
功率稳定度±0.1%
谐波分量≤-50dbc
供电电压单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ
整机效率>=70%
功率因素>=90%
冷却方式强制风冷
型号炉管直径x加热区长度炉管长度(mm)功率(kW)最高温度气体控制真空度
BR-CVD-60φ60×400mm120031200℃3路10Pa/7x10-3Pa
BR-CVD-80φ80×400mm120041200℃3路10Pa/7x10-3Pa
BR-CVD-100φ80×400mm120061200℃3路10Pa/7x10-3Pa
型号炉管直径x加热区长度功率(kW)最高温度频率功率气体控制真空度
BR-PECVD-60φ60×450mm41200℃13.56MHz±0.005%300-500W3路10Pa/7x10-3Pa
BR-PECVD-80φ80×450mm51200℃3路10Pa/7x10-3Pa
BR-PECVD-100φ100×450mm71200℃3路10Pa/7x10-3Pa

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