CVD/PECVD气相沉积炉简介
CVD/PECVD气相沉积炉,采用等离子体化学气相沉积技术,为各种金属、半导体、绝缘体等材料提供卓越的薄膜沉积解决方案,广泛的应用领域涵盖微电子、光电、平板显示、储能等多个行业。
CVD/PECVD气相沉积炉特点
高温极限:达到1200℃(通过HRE电阻丝加热),满足高温沉积需求。
智能控制:配备50段可编程自动控制系统,实现精准控制。
安全防护:具备超温保护和漏电自动断电功能,确保操作安全。
cvd气相沉积
高效散热:双层风冷结构和50℃以下表面温度,保障设备稳定运行。
卓越保温:炉膛采用日本技术真空吸附成型的氧化铝多晶纤维,保温效果出众。
高品质密封:采用304不锈钢KF快卸密封法兰,确保工艺过程的密封性。
快速升温:升温速率不超过20℃/分,提高生产效率。
精准控温:控温精度达到±1℃,确保薄膜质量。
高沉积速率:射频辉光技术使沉积速率高达10Å/S,大幅提升生产效率。
pecvd气相沉积炉
大面积均匀性:通过多点射频馈入技术和特殊气路分布,实现薄膜均匀性8%的优异指标。
高一致性:遵循半导体行业设计理念,基片间偏差低于2%,确保产品质量一致性。
工艺稳定:设备高度稳定,保证工艺的连续性和稳定性。
高效真空系统:标配直连式真空泵,极限真空度可达10Pa,确保高质量沉积环境。
精准流量控制:标配三路质量流量计,实现气体流量的精确控制。
强大射频电源:等离子射频电源功率高达500W,输出频率稳定在13.56MHz±0.005%,适应不同工艺需求。
pecvd
可选配件
高端真空系统:根据客户需求,提供最高真空度可达7x10-4Pa的分子泵真空系统。
混气系统:提供混气系统及质量流量计,满足复杂气体混合和流量控制需求。
高清触控屏:可选高清触控屏,实现更直观、便捷的操作体验。
技术参数
产品名称 | CVD化学气相沉积系统 |
产品型号 | BR-CVD/PECVD |
滑道 | 带滑道,可滑动炉膛,实现快速升温或冷却功能 |
加热区长度 | 400mm 单温区/双温区 |
炉管尺寸 | 直径60x1200mm 外径x长 |
炉管材质 | 高纯石英管 |
工作温度 | ≤1100℃ |
温控系统 | 人工智能PID仪表,自动控制温度 |
温控精度 | ±1℃ (具有超温及断偶报警功能) |
加热速率 | 建议 0~10℃/min |
加热元件 | 高品质电阻丝 |
真空系统 | |
额定电压 | 单相 220V 50Hz |
可通气体 | 氮气、氩气等惰性气体 |
测温元件 | 热电偶测温 |
壳体结构 | 双层壳体结构带风冷系统 |
真空法兰 | 带有进气口,另一端带控压阀,气动泄压阀和放气阀。 |
供气系统 | 四路精密质子流量计,通过触屏来调节气体流量 |
真空系统 | 旋片泵,真空度在空炉冷态可达1pa, 真空计:进口数显真空计实时显示真空度,精度高。 |
气体定量系统 | 整体可以控制压力范围-20kpa到20kpa(相对压力) |
额定电压 | 单相 220V 50Hz |
射频电源(仅PECVD) | |
信号频率 | 13.56 MHz±0.005% |
功率输出范围 | 500W |
最大反射功率 | 500W |
射频输出接口 | 50Ω,N-type,female |
功率稳定度 | ±0.1% |
谐波分量 | ≤-50dbc |
供电电压 | 单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ |
整机效率 | >=70% |
功率因素 | >=90% |
冷却方式 | 强制风冷 |
型号 | 炉管直径x加热区长度 | 炉管长度(mm) | 功率(kW) | 最高温度 | 气体控制 | 真空度 |
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BR-CVD-60 | φ60×400mm | 1200 | 3 | 1200℃ | 3路 | 10Pa/7x10-3Pa |
BR-CVD-80 | φ80×400mm | 1200 | 4 | 1200℃ | 3路 | 10Pa/7x10-3Pa |
BR-CVD-100 | φ80×400mm | 1200 | 6 | 1200℃ | 3路 | 10Pa/7x10-3Pa |
型号 | 炉管直径x加热区长度 | 功率(kW) | 最高温度 | 频率 | 功率 | 气体控制 | 真空度 |
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BR-PECVD-60 | φ60×450mm | 4 | 1200℃ | 13.56MHz±0.005% | 300-500W | 3路 | 10Pa/7x10-3Pa |
BR-PECVD-80 | φ80×450mm | 5 | 1200℃ | 3路 | 10Pa/7x10-3Pa | ||
BR-PECVD-100 | φ100×450mm | 7 | 1200℃ | 3路 | 10Pa/7x10-3Pa |