产品详情
CVD/PECVD简介
博纳热CVD/PECVD气相沉积炉是一款利用等离子体化学气相沉积技术进行薄膜沉积的先进设备。它具备卓越的性能，可以对各种材料进行高质量的薄膜沉积，覆盖金属、半导体、绝缘体等领域。这种设备的广泛应用主要得益于其在微电子、光电、平板显示以及储能等领域中的突出表现。
产品特点
高效加热
采用HRE电阻丝加热，最高温度可达1200℃。
智能化控制
50段可编程自动控制，满足各种复杂的温度程序需求。
cvd气相沉积
安全保障
配备超温保护功能和炉体漏电保护，确保操作安全。
散热设计
双层风冷结构确保炉壳表面温度低于50℃。
优质材料
炉膛采用日本技术真空吸附成型的优质氧化铝多晶纤维无机材料，保温性能极佳。
高精度控温
升温速率≤20℃/分，控温精度±1℃。
薄膜沉积
采用射频辉光技术，大幅度提高薄膜沉积速率，最高可达10Å/S。
高均匀性
采用多点射频馈入技术、特殊气路分布和加热技术，实现大面积均匀性和高一致性。
高度稳定的工艺
高度稳定的设备确保工艺连续性和稳定性。
pecvd气相沉积
真空泵与流量计
标配直连式真空泵，极限真空度可达10Pa，并配备三路质量流量计。
等离子射频电源
大射频功率达500W，输出频率13.56MHz±0.005%，提供稳定的等离子环境。
可选配件：
真空系统可根据客户需求选择
可提供混气系统及质量流量计
高清触控屏
